NDF04N60ZH

NDF04N60ZH - ON Semiconductor

Artikelnummer
NDF04N60ZH
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3605 pcs
Referenzpreis
USD 0.84/pcs
Unser Preis
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NDF04N60ZH detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NDF04N60ZH
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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