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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › MMBT3416LT3G
MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G - ON Semiconductor

Artikelnummer
MMBT3416LT3G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMBT3416LT3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
850000 pcs
Referenzpreis
USD 0.017/pcs
Unser Preis
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MMBT3416LT3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMBT3416LT3G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V
Leistung max 225mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gewicht -
Ursprungsland -

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