MMBT123S-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer	MMBT123S-7-F
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	18V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 30mA, 300mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 100mA, 1V
Leistung max	300mW
Frequenz - Übergang	100MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMBT100	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23	Einzelheiten
MMBT100A	Fairchild/Micross Components	DIE TRANS NPN 45V GENERAL PURP	Einzelheiten
MMBT1010LT1	LRC	Low Saturation Voltage	Einzelheiten
MMBT1015L	UTC	MMBT1015L UTC SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
MMBT123S	DIODES	MMBT123S DIODES SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
MMBT123S-7	Diodes Incorporated	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3	Einzelheiten
MMBT123S-7-F	Diodes Incorporated	TRANS NPN 18V 1A SOT23-3	Einzelheiten
MMBT123S_1	DIODES	1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR	Einzelheiten
MMBT1616AL-G	ASIANTECH	MMBT1616AL-G ASIANTECH SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
MMBT1815	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten