MMBF0201NLT1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	MMBF0201NLT1G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 5V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	225mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 300mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMBF0201NLT1	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23	Einzelheiten
MMBF0201NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23	Einzelheiten
MMBF0201NT1G	ON	MMBF0201NT1G ON SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
MMBF0202P	ON	MMBF0202P ON SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
MMBF0202PT1G	ON	MMBF0202PT1G ON SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten