| Artikelnummer | 2SA1708T-AN |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 40mA, 400mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 5V |
| Leistung max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | SC-71 |
| Lieferantengerätepaket | 3-NMP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2SA100 | EXSHINE | Ge PNP Drift | Einzelheiten |
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2SA1006B | NEC | 2SA1006B NEC TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
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2SA1009A | NEC | 2SA1009A NEC TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
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2SA1009A-J | NEC | 2SA1009A-J NEC SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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2SA1013-O,T6MIBF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 1A 160V TO226-3 | Einzelheiten |
