• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2N6715
2N6715

2N6715 - ON Semiconductor

Artikelnummer
2N6715
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
NPN SILICON AUDIO POWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N6715 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
38435 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2N6715

2N6715 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N6715
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 1V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 500MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2N6715

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
2N0303 2N0303 INFINEON 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks Einzelheiten
2N03L10 2N03L10 INFINEON 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks Einzelheiten
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors Einzelheiten
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten