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| Artikelnummer | PSMN1R1-30EL,127 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 243nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14850pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 338W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PSMN1R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Einzelheiten |
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PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN1R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | Einzelheiten |
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PSMN1R0-40YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | Einzelheiten |
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PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | Einzelheiten |
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PSMN1R1-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Einzelheiten |
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PSMN1R2-25YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Einzelheiten |
