PMN45EN,135 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMN45EN,135
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	495pF @ 25V
Vgs (Max)	20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.75W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SC-74, SOT-457
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMN40ENEX	Nexperia USA Inc.	PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *	Einzelheiten
PMN40LN	NXP	PMN40LN NXP SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
PMN40LN,135	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP	Einzelheiten
PMN40UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP	Einzelheiten
PMN40UPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SC-74	Einzelheiten
PMN42XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP	Einzelheiten
PMN42XPEAH	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP	Einzelheiten
PMN42XPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SC-74	Einzelheiten
PMN45EN	NXP	PMN45EN NXP SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
PMN45EN,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP	Einzelheiten