PMN40ENEX detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PMN40ENEX |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
5.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
11nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
294pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
530mW (Ta), 4.46W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
38 mOhm @ 4.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
Paket / Fall |
SC-74, SOT-457 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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