BCV65,215 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	BCV65,215
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	75 @ 2mA, 5V
Leistung max	250mW
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket	SOT-143B
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BCV 28 E6327	Infineon Technologies	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89	Einzelheiten
BCV 61A E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN DBL 30V SOT143-4	Einzelheiten
BCV-FEC	TE Connectivity Passive Product	SUPPORT PILLARS	Einzelheiten
BCV26	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23	Einzelheiten
BCV26,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten
BCV26,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten
BCV26E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23	Einzelheiten
BCV26_L99Z	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23	Einzelheiten
BCV27	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23	Einzelheiten
BCV27,215	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten