BCV26_L99Z - ON Semiconductor

Artikelnummer	BCV26_L99Z
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	PNP - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	1.2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Leistung max	350mW
Frequenz - Übergang	220MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BCV26	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23	Einzelheiten
BCV26,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten
BCV26,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten
BCV26E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23	Einzelheiten
BCV26_L99Z	ON Semiconductor	TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23	Einzelheiten
BCV27	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23	Einzelheiten
BCV27,215	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23	Einzelheiten
BCV27E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-23	Einzelheiten
BCV27E6395HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR AF SOT23	Einzelheiten
BCV27TA	Diodes Incorporated	TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23-3	Einzelheiten