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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › SG2823J-883B
SG2823J-883B

SG2823J-883B - Microsemi Corporation

Artikelnummer
SG2823J-883B
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SG2823J-883B PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3753 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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SG2823J-883B detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SG2823J-883B
Teilstatus Active
Transistor-Typ 8 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 95V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket 18-CDIP
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SG2823J-883B

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
SG2803J-883B SG2803J-883B Microsemi Corporation TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Einzelheiten
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