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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › SG2823J
SG2823J

SG2823J - Microsemi Corporation

Artikelnummer
SG2823J
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SG2823J PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4265 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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SG2823J detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SG2823J
Teilstatus Active
Transistor-Typ 8 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 95V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket 18-CDIP
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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