| Artikelnummer | APT54GA60B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 96A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 161A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A |
| Leistung max | 416W |
| Energie wechseln | 534µJ (on), 466µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 158nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/112ns |
| Testbedingung | 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
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APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
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APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Einzelheiten |
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APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
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APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
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APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Einzelheiten |
