| Artikelnummer | APT50GR120L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 117A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 200A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 50A |
| Leistung max | 694W |
| Energie wechseln | 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 445nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 28ns/237ns |
| Testbedingung | 600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
|
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
 |
APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Einzelheiten |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Einzelheiten |
|
APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
|
APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
|
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Einzelheiten |
