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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APT50GR120JD30
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT50GR120JD30
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT50GR120JD30 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
791 pcs
Referenzpreis
USD 32.5535/pcs
Unser Preis
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APT50GR120JD30 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT50GR120JD30
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 84A
Leistung max 417W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.55nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4
Lieferantengerätepaket SOT-227
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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