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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT50GN60BG
APT50GN60BG

APT50GN60BG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT50GN60BG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 107A 366W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT50GN60BG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5079 pcs
Referenzpreis
USD 5.2693/pcs
Unser Preis
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APT50GN60BG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT50GN60BG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 107A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
Leistung max 366W
Energie wechseln 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 325nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/230ns
Testbedingung 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Gewicht -
Ursprungsland -

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