| Artikelnummer | MT53B512M64D4EZ-062 WT:C |
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| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT53B512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | Einzelheiten |
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MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | Einzelheiten |
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MT53B512M16D1Z11NWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ | Einzelheiten |
