MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer: MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Hersteller: Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie: Speicher
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Datumscode: New
Bestandsmenge: 27132 pcs
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Artikelnummer	MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße	16Gb (512M x 32)
Taktfrequenz	1600MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	-
Spannungsversorgung	1.1V
Betriebstemperatur	-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart	-
Paket / Fall	-
Lieferantengerätepaket	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 XT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	Einzelheiten
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B	Micron Technology Inc.	LPDDR4 384MX64 WFB	Einzelheiten
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 16GBIT 1.6GHZ FBGA	Einzelheiten
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA	Einzelheiten