| Artikelnummer | MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 24Gb (384M x 64) |
| Taktfrequenz | 1866MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA | Einzelheiten |
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MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT 1.6GHZ FBGA | Einzelheiten |
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MT53B384M16D1Z0APWC1 | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT DIE | Einzelheiten |
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MT53B384M16D1Z0AQWC1 | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 6GBIT DIE | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
