| Artikelnummer | MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR |
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| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 12Gb (384M x 32) |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 XT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA | Einzelheiten |
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MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA | Einzelheiten |
