MMBTH10-TP detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MMBTH10-TP |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
25V |
Frequenz - Übergang |
650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
- |
Gewinnen |
- |
Leistung max |
225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
60 @ 4mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
50mA |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket |
SOT-23 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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