Si4112G-BT* - EXSHINE

Artikelnummer: Si4112G-BT*
Hersteller: EXSHINE
Kurze Beschreibung: DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht: Si4112G-BT* PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen: -
Kategorie: Dioden Transistor - 4
Lieferzeit: 1 Day
Datumscode: New
Bestandsmenge: 6603000 pcs
Referenzpreis: USD 0/pcs
Unser Preis: Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Artikelnummer	Si4112G-BT*
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
MFG Part Code	Si4112G-BT*
Series	Si4112G
Delivery Time	1 Day
Eigenschaften	-
Stromspannung	-
Date Code	New
Befestigungsart	-
Betriebstemperatur	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Strom	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI410	VISHAY	SI410 VISHAY TSSOP New Original Stocks	Einzelheiten
SI4100DY	VISHAY	SI4100DY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4100DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4100DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4101DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC	Einzelheiten
SI4102DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4102DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4103DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 30V SO-8	Einzelheiten
SI4104DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4104DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	Einzelheiten