IXTV200N10TS

IXTV200N10TS - IXYS

Artikelnummer
IXTV200N10TS
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3665 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXTV200N10TS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTV200N10TS
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 550W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PLUS-220SMD
Paket / Fall PLUS-220SMD
Gewicht -
Ursprungsland -

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