IXTV200N10T - IXYS

Artikelnummer	IXTV200N10T
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9400pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	550W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS220
Paket / Fall	TO-220-3, Short Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTV02N250S	IXYS	MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220	Einzelheiten
IXTV03N400S	IXYS	MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220	Einzelheiten
IXTV102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220	Einzelheiten
IXTV102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220	Einzelheiten
IXTV110N25TS	IXYS	MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD	Einzelheiten
IXTV120N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220	Einzelheiten
IXTV130N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220	Einzelheiten
IXTV18N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220	Einzelheiten
IXTV18N60PS	IXYS	MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD	Einzelheiten
IXTV200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220	Einzelheiten