| Artikelnummer | IXTT12N150 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 890W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | Einzelheiten |
|
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | Einzelheiten |
|
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | Einzelheiten |
|
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | Einzelheiten |
