IXTT10N100D - IXYS

Artikelnummer	IXTT10N100D
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	400W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-268
Paket / Fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTT02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268	Einzelheiten
IXTT100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-268	Einzelheiten
IXTT10N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	Einzelheiten
IXTT10N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267	Einzelheiten
IXTT10P50	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-268	Einzelheiten
IXTT10P60	IXYS	MOSFET P-CH 600V 10A TO-268	Einzelheiten
IXTT110N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268	Einzelheiten
IXTT110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268	Einzelheiten
IXTT11P50	IXYS	MOSFET P-CH 500V 11A TO-268	Einzelheiten
IXTT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	Einzelheiten