| Artikelnummer | IXTP4N60P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXT-1-1N100S1 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | Einzelheiten |
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IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | Einzelheiten |
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IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | Einzelheiten |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | Einzelheiten |
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IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | Einzelheiten |
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IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | Einzelheiten |
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IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | Einzelheiten |
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IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | Einzelheiten |
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IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | Einzelheiten |
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IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | Einzelheiten |
