IXTP34N65X2

IXTP34N65X2 - IXYS

Artikelnummer
IXTP34N65X2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
39770 pcs
Referenzpreis
USD 4.14/pcs
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IXTP34N65X2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTP34N65X2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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