IXTP28N15P - IXYS

Artikelnummer	IXTP28N15P
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	-
Technologie	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Einzelheiten
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Einzelheiten
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Einzelheiten
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Einzelheiten