IXTP18P10T detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXTP18P10T |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
39nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2100pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±15V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
83W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
120 mOhm @ 9A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-220AB |
Paket / Fall |
TO-220-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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