IXTP18P10T - IXYS

Artikelnummer	IXTP18P10T
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 25V
Vgs (Max)	±15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Einzelheiten
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Einzelheiten
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Einzelheiten
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Einzelheiten