| Artikelnummer | IXTP10P15T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | Einzelheiten |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | Einzelheiten |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | Einzelheiten |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | Einzelheiten |
