IXTN22N100L detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXTN22N100L |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
22A |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
270nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
7050pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±30V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
700W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
600 mOhm @ 11A, 20V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-227B |
Paket / Fall |
SOT-227-4, miniBLOC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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