IXTN102N65X2

IXTN102N65X2 - IXYS

Artikelnummer
IXTN102N65X2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
145 pcs
Referenzpreis
USD 26.22/pcs
Unser Preis
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IXTN102N65X2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTN102N65X2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 76A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 595W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 51A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht -
Ursprungsland -

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