IXTA76P10T - IXYS

Artikelnummer	IXTA76P10T
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	197nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13700pF @ 25V
Vgs (Max)	±15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	298W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (IXTA)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Einzelheiten
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Einzelheiten
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Einzelheiten
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Einzelheiten
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Einzelheiten
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Einzelheiten
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Einzelheiten
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXTA08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263	Einzelheiten
IXTA08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	Einzelheiten