IXTA6N100D2

IXTA6N100D2 - IXYS

Artikelnummer
IXTA6N100D2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
150 pcs
Referenzpreis
USD 6.71/pcs
Unser Preis
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IXTA6N100D2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTA6N100D2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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