IXTA3N120TRL

IXTA3N120TRL - IXYS

Artikelnummer
IXTA3N120TRL
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6000 pcs
Referenzpreis
USD 3.7455/pcs
Unser Preis
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IXTA3N120TRL detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTA3N120TRL
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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