IXTA1R6N100D2HV - IXYS

Artikelnummer	IXTA1R6N100D2HV
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 10V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263HV
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTA100N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 100A TO-263	Einzelheiten
IXTA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-263	Einzelheiten
IXTA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Einzelheiten
IXTA10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263	Einzelheiten
IXTA10P50PTRL	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA	Einzelheiten
IXTA110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-263	Einzelheiten
IXTA110N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-263	Einzelheiten
IXTA110N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-263	Einzelheiten
IXTA110N055T7	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7	Einzelheiten
IXTA110N12T2	IXYS	120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET	Einzelheiten