IXTA110N12T2

IXTA110N12T2 - IXYS

Artikelnummer
IXTA110N12T2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
125 pcs
Referenzpreis
USD 4.93/pcs
Unser Preis
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IXTA110N12T2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTA110N12T2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6570pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 517W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 55A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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