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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGR35N120BD1
IXGR35N120BD1

IXGR35N120BD1 - IXYS

Artikelnummer
IXGR35N120BD1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGR35N120BD1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2651 pcs
Referenzpreis
USD 10.215/pcs
Unser Preis
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IXGR35N120BD1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGR35N120BD1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 54A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 35A
Leistung max 250W
Energie wechseln 900µJ (on), 3.8mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/270ns
Testbedingung 960V, 35A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 40ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall ISOPLUS247™
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Gewicht -
Ursprungsland -

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