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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGR32N170H1
IXGR32N170H1

IXGR32N170H1 - IXYS

Artikelnummer
IXGR32N170H1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGR32N170H1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXGR32N170H1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1125 pcs
Referenzpreis
USD 23.188/pcs
Unser Preis
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IXGR32N170H1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGR32N170H1
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 38A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 21A
Leistung max 200W
Energie wechseln 10.6mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 45ns/270ns
Testbedingung 1360V, 21A, 2.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 230ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall ISOPLUS247™
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Gewicht -
Ursprungsland -

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