IXFX26N100P

IXFX26N100P - IXYS

Artikelnummer
IXFX26N100P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1107 pcs
Referenzpreis
USD 22.8887/pcs
Unser Preis
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IXFX26N100P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFX26N100P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 780W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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