IXFX120N65X2

IXFX120N65X2 - IXYS

Artikelnummer
IXFX120N65X2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
825 pcs
Referenzpreis
USD 19.94/pcs
Unser Preis
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IXFX120N65X2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFX120N65X2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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