IXFX24N100Q3 - IXYS

Artikelnummer	IXFX24N100Q3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1000W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS247™-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFX100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247	Einzelheiten
IXFX100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247	Einzelheiten
IXFX120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXFX120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXFX120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXFX120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-247	Einzelheiten
IXFX120N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXFX120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXFX12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247	Einzelheiten
IXFX140N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247	Einzelheiten