IXFT30N50P

IXFT30N50P - IXYS

Artikelnummer
IXFT30N50P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFT30N50P PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4479 pcs
Referenzpreis
USD 5.9983/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IXFT30N50P

IXFT30N50P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFT30N50P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 460W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXFT30N50P