IXFT12N100Q detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXFT12N100Q |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5.5V @ 4mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
90nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2900pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
300W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
TO-268 |
Paket / Fall |
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXFT12N100Q