IXFK20N120

IXFK20N120 - IXYS

Artikelnummer
IXFK20N120
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1472 pcs
Referenzpreis
USD 18.3964/pcs
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IXFK20N120 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFK20N120
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 780W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264AA (IXFK)
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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