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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IXFC20N80P
IXFC20N80P

IXFC20N80P - IXYS

Artikelnummer
IXFC20N80P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFC20N80P PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXFC20N80P.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3863 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXFC20N80P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFC20N80P
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4680pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 166W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™
Paket / Fall ISOPLUS220™
Gewicht -
Ursprungsland -

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