IXFC12N80P

IXFC12N80P - IXYS

Artikelnummer
IXFC12N80P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4221 pcs
Referenzpreis
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IXFC12N80P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFC12N80P
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™
Paket / Fall ISOPLUS220™
Gewicht -
Ursprungsland -

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