| Artikelnummer | IXFB80N50Q2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 960W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS264™ |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXFB100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | Einzelheiten |
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IXFB300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | Einzelheiten |
