IXFB80N50Q2

IXFB80N50Q2 - IXYS

Artikelnummer
IXFB80N50Q2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
432 pcs
Referenzpreis
USD 32.45/pcs
Unser Preis
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IXFB80N50Q2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFB80N50Q2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 960W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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